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随着大功率和超大规模集成电路的发展，集成电路和基片间散热的重要性也越来越明显。因此，基片必须要具有高的导热率和电阻率。为满足这一要求，国内外研究学者开发出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC，但是氮化铝是综合性能最优良的新型先进陶瓷材料，被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。那么氮化铝陶瓷有哪些优良的性能呢下面钧杰陶瓷小编带大家了解一下。
目前，氮化铝陶瓷已被广泛应用于电子、冶金、机械、国防等各个领域，具有非常优异的综合性能，其主要表现为以下几个方面：
（1）热导率高，是氧化铝陶瓷的5~10倍，与氧化铍陶瓷相当；
（2）热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体硅材料((3.5~4.0)×10-6/℃)匹配；
（3）机械性能好，高于BeO陶瓷，接近氧化铝；
（4）电性能优良，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗；
（5）可以进行多层布线，实现封装的高密度和小型化；
（6）无毒，有利于环保。
