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随着电子设备向小型化、高功率和高密度方向发展，散热问题已成为制约器件性能与寿命的关键因素。传统封装材料如氧化铝（Al₂O₃）虽绝缘性好，但热导率较低（约20-30 W/(m·K)），难以满足高功率芯片的散热需求；而氧化铍（BeO）虽热导率高，但具有毒性，对人体和环境有害，应用受限。在此背景下，氮化铝陶瓷凭借其高热导率、高绝缘性和低热膨胀系数等优势，成为新一代高性能电子封装材料的首选。
在功率模块、LED封装、射频器件和微波通信等领域，氮化铝陶瓷基板被广泛用于制造高性能散热片、电路载体和封装外壳。
例如，在LED照明中，氮化铝陶瓷基板能迅速将芯片产生的热量导出，降低结温，提高光效和使用寿命；在IGBT功率模块中，其优异的导热性能可有效防止热积聚，提升模块的可靠性与能效。此外，氮化铝陶瓷还可与金属（如铜、铝）或半导体材料实现良好的热匹配，减少因热循环引起的开裂或分层问题。
目前，氮化铝陶瓷覆铜板（AlN-DBC）和薄膜电路板（AlN-DTF）已实现商业化生产，广泛应用于新能源汽车、5G基站、航空航天等高端领域。未来，随着5G、人工智能和电动汽车等产业的快速发展，对高性能散热材料的需求将持续增长，氮化铝陶瓷在电子封装中的应用将更加深入和广泛。
