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导热系数更好的氮化铝陶瓷为什么大家都喜欢用氧化铝当半导体零件

文章出处:http://www.jundrotc.com/1043.html人气:1时间:2025-12-10

    在半导体材料选型中,氮化铝陶瓷的导热优势(150-230W/(m・K))明明远超氧化铝陶瓷(20-30W/(m・K)),但实际应用中,氧化铝却仍是半导体零件的主流选择。这一 “反常识” 现象背后,藏着行业选型的核心逻辑,今天就为你拆解关键原因。

首先是成本差距悬殊。氧化铝陶瓷原料易得、加工工艺成熟,批量生产成本仅为氮化铝的 1/3-1/5。半导体行业多为大规模量产,成本控制直接影响产品竞争力,对于中低功率器件、普通绝缘部件等非核心场景,氧化铝的性价比优势无可替代。而氮化铝原料稀缺、烧结工艺复杂,高昂价格让多数批量生产的半导体企业望而却步。

    其次是性能适配性足够。半导体领域并非所有零件都需要极致导热,多数常规场景(如普通集成电路基板、绝缘支架、封装外壳)中,氧化铝的导热系数已能满足散热需求,且其常温电阻率达 10¹⁴-10¹⁶Ω・m,绝缘稳定性出色,300℃以下性能无衰减,完全适配低压常温工况。对于不需要高密度集成、高功率运行的半导体器件,氧化铝的性能已绰绰有余。

    再者是工艺成熟度更高。氧化铝陶瓷的成型、加工技术经过数十年迭代,尺寸精度易控制,产品合格率高,能快速匹配半导体零件的标准化生产需求。而氮化铝陶瓷加工难度大,对烧结温度、气氛要求严苛,批量生产时良率波动较大,难以满足半导体行业高效量产的节奏。

    当然,氮化铝并非无立足之地,在大功率半导体、高频器件等核心场景,其 “高导热 + 高绝缘” 特性仍是刚需。但对多数半导体企业而言,选型的核心是 “适配而非极致”,氧化铝在成本、工艺、性能平衡上的优势,恰好契合了行业规模化生产的需求。

    选型建议:中低功率半导体、常规绝缘零件且成本敏感,优先选氧化铝陶瓷;大功率、高密度集成的核心部件,可选择氮化铝陶瓷。

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